ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面
產(chǎn)品描述:ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面該產(chǎn)品采用近紅外640×512紅外焦平面讀出電路芯片與近紅外640×512紅外焦平面元光敏芯片倒焊互聯(lián),實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器信號(hào)的積分、存儲(chǔ)和輸出。光敏芯片采用背照射結(jié)構(gòu)
產(chǎn)品概述
ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面
產(chǎn)品簡介
該產(chǎn)品采用近紅外640×512紅外焦平面讀出電路芯片與近紅外640×512紅外焦平面元光敏芯片倒焊互聯(lián),實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器信號(hào)的積分、存儲(chǔ)和輸出。光敏芯片采用背照射結(jié)構(gòu),中間距25×25um2。電路工作模式為先積分后讀出模式,讀出速率(Pixel Rate)20KHz~10MHz,建議初次調(diào)試驅(qū)動(dòng)波形時(shí),時(shí)鐘采用500KHz。ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面
ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面
性能參數(shù)
器件規(guī)模 | 近紅外640×512紅外焦平面 |
像元尺寸/um2 | 25×25 |
像元中心距/um | 25 |
光譜響應(yīng)/um | 0.9~1.7 |
功耗/mW | 100 |
峰值探測(cè)率/cmHz1/2/W | ≥ 1×1012@5℃,1.55 μm |
峰值量子效率/% | ≥ 80@1.55μm |
滿阱容量/Me- | 0.6 |
動(dòng)態(tài)范圍/dB | ≥60 |
工作溫度范圍/℃ | -20~60 |
貯存溫度范圍/℃ | -40~70 |
- 上一個(gè): ATT2203-近紅外320×256紅外焦平面
- 下一個(gè): ATV1200-四通道365 nm紫外固化光源